长江存储开，启全新闪存产品出，货 长度超越韩国 美国

近日，据消息，长江存储已经开始了其第五代3DTLCNAND闪存的出货。这款闪存产品采用了Xtacking4.0架构，共有294层和232个有源层。

据悉，长江存储已经在新的闪存产品上超越了韩国、美国等其他头部存储企业。目前，该公司推出的第五代3DTLCNAND闪存产品的位密度超过了20Gb/mm（混合键合技术将闪存阵列与CMOS逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和I/O性能）。虽然整体来说，这个数值略低于铠侠和西部数据BiCS8QLCNAND闪存产品的22.9Gb/mm，但是考虑到市场上其他企业的表现，这一成绩已经非常优秀。

根据行业人士的观点，目前长江存储已经成功将闪存密度提升到了与行业相同水平，因此该公司已经成为全球NAND市场的一个强有力的竞争者。

（内容来源：证券时报）